Внутренний мир SSD (Страница 2 из 2)

Stranger пишет:

dRomka пишет:

Stranger пишет:

dRomka пишет:

возня в любом случае - а процу пох чем заниматься, ему главное кеш запихнуть побыстрее - и не важно куда, как и сколько ....
а вот экономия ресурса - ставится всегда на ПЕРВОЕ место !!!

нет не похеру, и сброс заряда это не износ, ничего там не изнашивается    запись это износ, никакого ресурса не расходуется

на самом деле многие почему-то проводят аналоги между хардами и ssd и например пластинками и магнитной лентой
правильнее было бы проводить аналогии между пластинкой и пластиной диска, а вот проигрыватель это остальная обвязка,
достаточно сложное устройство, да ещё и запись цифрами, а не аналоговая и количество информации огромное и быстродействия хочется
получаем что контроллер это охеренно сложный и интеллектуальный проигрыватель      как то так

там если покопаться и попробовать аналогии поискать своя операционка, драйвера и прочая херня внутри 

Алексей, тВы путаете типы памяти, там не рам ... со статикой заряда - там (в ссд) "зарядовая" память , она меняет своё состояние после определённого электрического воздействия, обычно выше потенциала зарядового слоя, иначе не записать в ячейку - и это состояние и есть перепрограммирование - смена заряда с "0" на "1" или с "1" на "0" -вашпе похуй (привожу для простоты - на самом деле там по другому, другие уровни) - и смысл в том что такое количество переходов ограниченно (такова технология нанад\нор).
отдалённой технологией 80-х было уф стирание для ячеек памяти 40-120нм жестоким уф излучением (чтобы изменить состояние), потом стало возможным воздействовать на дополнительный затвор ячейки памяти зарядом выше потенциала (12-20в), сейчас технология из за уменьшения слоя - можно уже и 2.5-3.3 вольта ... в целом память развивается - и это канеш qlc - что радует цена и обЪём ,- но  вот надёжность и скорость этого говна - пичалько ... одна радость 8 потоков и кеш 64к на шине писиай5.0  oO  ну и не забиваем на кеш из млц в ссд кратный обЪёму накопителя .... что ещё усложняет алгоритм работы контроллера ссд ...
пысы ... к чему я всё это ??? хз ... мне не жалко ... пользуйтесь   
даёш нор енанад в массы https://www.winbond.com/hq/product/code … o=W25N01GV

погуглите сами, или подождите в ближ время будет статья на нашем дзене и сможете пользоваться нам не жалко   

могу вам ещё насыпать чудес, например о том что транслятор строится во время записи   
и даже ваши любимые файловые системы операционных систем на это ну никак не влияют   

и вот вам пока для развития https://www.ixbt.com/storage/flash-tech.shtml

или вот картинка :
это запись

а это стирание:

стирается кстати бАНАЛЬНЫМ стеканием заряда  износа тут нет, износ происходит когда вы "делаете заряд"= запись 
и про затраты постройте блок схему занулять, а потом писать выгодней и правильней чем узнавать состояние и потом решать
писать или оставить как есть

и про ультра фиолет https://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%A2%D1 … 0%BE%D0%BC

уж нам то точно ничего не жалко   

есть маленькое маленькое НО  для флеш "0" - это как раз программирование, 1 - чистая ячейка, готовая к записи , для пзу на перемычках по другому 

dRomka пишет:

Stranger пишет:

dRomka пишет:

Stranger пишет:

нет не похеру, и сброс заряда это не износ, ничего там не изнашивается    запись это износ, никакого ресурса не расходуется

на самом деле многие почему-то проводят аналоги между хардами и ssd и например пластинками и магнитной лентой
правильнее было бы проводить аналогии между пластинкой и пластиной диска, а вот проигрыватель это остальная обвязка,
достаточно сложное устройство, да ещё и запись цифрами, а не аналоговая и количество информации огромное и быстродействия хочется
получаем что контроллер это охеренно сложный и интеллектуальный проигрыватель      как то так

там если покопаться и попробовать аналогии поискать своя операционка, драйвера и прочая херня внутри 

Алексей, тВы путаете типы памяти, там не рам ... со статикой заряда - там (в ссд) "зарядовая" память , она меняет своё состояние после определённого электрического воздействия, обычно выше потенциала зарядового слоя, иначе не записать в ячейку - и это состояние и есть перепрограммирование - смена заряда с "0" на "1" или с "1" на "0" -вашпе похуй (привожу для простоты - на самом деле там по другому, другие уровни) - и смысл в том что такое количество переходов ограниченно (такова технология нанад\нор).
отдалённой технологией 80-х было уф стирание для ячеек памяти 40-120нм жестоким уф излучением (чтобы изменить состояние), потом стало возможным воздействовать на дополнительный затвор ячейки памяти зарядом выше потенциала (12-20в), сейчас технология из за уменьшения слоя - можно уже и 2.5-3.3 вольта ... в целом память развивается - и это канеш qlc - что радует цена и обЪём ,- но  вот надёжность и скорость этого говна - пичалько ... одна радость 8 потоков и кеш 64к на шине писиай5.0  oO  ну и не забиваем на кеш из млц в ссд кратный обЪёму накопителя .... что ещё усложняет алгоритм работы контроллера ссд ...
пысы ... к чему я всё это ??? хз ... мне не жалко ... пользуйтесь   
даёш нор енанад в массы https://www.winbond.com/hq/product/code … o=W25N01GV

погуглите сами, или подождите в ближ время будет статья на нашем дзене и сможете пользоваться нам не жалко   

могу вам ещё насыпать чудес, например о том что транслятор строится во время записи   
и даже ваши любимые файловые системы операционных систем на это ну никак не влияют   

и вот вам пока для развития https://www.ixbt.com/storage/flash-tech.shtml

или вот картинка :
это запись

а это стирание:

стирается кстати бАНАЛЬНЫМ стеканием заряда  износа тут нет, износ происходит когда вы "делаете заряд"= запись 
и про затраты постройте блок схему занулять, а потом писать выгодней и правильней чем узнавать состояние и потом решать
писать или оставить как есть

и про ультра фиолет https://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%A2%D1 … 0%BE%D0%BC

уж нам то точно ничего не жалко   

есть маленькое маленькое НО  для флеш "0" - это как раз программирование, 1 - чистая ячейка, готовая к записи , для пзу на перемычках по другому 

жди статейку сегодня    и похеру 0 это программировани и 1 чистая ячейка или наоборот, сути это не меняет   

ты лучше задумайся например над тем что например места без данных на ссд в "реальности операционки" не существует вообще   
и например форматирование в фат это тупо занятие данными места нужного для таблицы размещения и не более   

читай там более подробно всё https://dzen.ru/media/neuron/osobennost … 119a70418c

писанина добавляется 

Stranger пишет:

dRomka пишет:

Stranger пишет:

dRomka пишет:

Алексей, тВы путаете типы памяти, там не рам ... со статикой заряда - там (в ссд) "зарядовая" память , она меняет своё состояние после определённого электрического воздействия, обычно выше потенциала зарядового слоя, иначе не записать в ячейку - и это состояние и есть перепрограммирование - смена заряда с "0" на "1" или с "1" на "0" -вашпе похуй (привожу для простоты - на самом деле там по другому, другие уровни) - и смысл в том что такое количество переходов ограниченно (такова технология нанад\нор).
отдалённой технологией 80-х было уф стирание для ячеек памяти 40-120нм жестоким уф излучением (чтобы изменить состояние), потом стало возможным воздействовать на дополнительный затвор ячейки памяти зарядом выше потенциала (12-20в), сейчас технология из за уменьшения слоя - можно уже и 2.5-3.3 вольта ... в целом память развивается - и это канеш qlc - что радует цена и обЪём ,- но  вот надёжность и скорость этого говна - пичалько ... одна радость 8 потоков и кеш 64к на шине писиай5.0  oO  ну и не забиваем на кеш из млц в ссд кратный обЪёму накопителя .... что ещё усложняет алгоритм работы контроллера ссд ...
пысы ... к чему я всё это ??? хз ... мне не жалко ... пользуйтесь   
даёш нор енанад в массы https://www.winbond.com/hq/product/code … o=W25N01GV

погуглите сами, или подождите в ближ время будет статья на нашем дзене и сможете пользоваться нам не жалко   

могу вам ещё насыпать чудес, например о том что транслятор строится во время записи   
и даже ваши любимые файловые системы операционных систем на это ну никак не влияют   

и вот вам пока для развития https://www.ixbt.com/storage/flash-tech.shtml

или вот картинка :
это запись

а это стирание:

стирается кстати бАНАЛЬНЫМ стеканием заряда  износа тут нет, износ происходит когда вы "делаете заряд"= запись 
и про затраты постройте блок схему занулять, а потом писать выгодней и правильней чем узнавать состояние и потом решать
писать или оставить как есть

и про ультра фиолет https://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%A2%D1 … 0%BE%D0%BC

уж нам то точно ничего не жалко   

есть маленькое маленькое НО  для флеш "0" - это как раз программирование, 1 - чистая ячейка, готовая к записи , для пзу на перемычках по другому 

жди статейку сегодня    и похеру 0 это программировани и 1 чистая ячейка или наоборот, сути это не меняет   

ты лучше задумайся например над тем что например места без данных на ссд в "реальности операционки" не существует вообще   
и например форматирование в фат это тупо занятие данными места нужного для таблицы размещения и не более   

читай там более подробно всё https://dzen.ru/media/neuron/osobennost … 119a70418c

писанина добавляется 

ссылка сломана

ssd в райде не глупость ,- просто у контроллера нет мозгов чтоб трим мутить ... вот и дохнет 
на новых буках уже всё исправили и на новых контроллерах тоже  тепрь хоть на qlc райд собирай  oO 

Stranger пишет:

dRomka пишет:

ssd в райде не глупость ,- просто у контроллера нет мозгов чтоб трим мутить ... вот и дохнет 
на новых буках уже всё исправили и на новых контроллерах тоже  тепрь хоть на qlc райд собирай  oO 

и как же контроллер может повлиять на то что диски одновременно загнутся?   

и чего же там можно исправить та?   

написал же TRIM\NCQ

Уже давно известно, что на маркетплейсах впаривают гребаную срань под видом хранителей инфы
но народ все же ведется, надеясь на чудо, ведь цена то приятная
приносят мне такие иногда, хранят в них файло для распечатки, а файло то битое с них и хер а не печать