Re: Внутренний мир SSD
Stranger пишет:dRomka пишет:Stranger пишет:dRomka пишет:у нанад - есть команда быстрого стирания блока\блоков и партиций 😉 но это всёравно минус минус к ресу ячеек памяти по записи 😉
давай сначала поймём что в ссд принцип записи не магнитный, и в этом случае получается что занулить и записать это
быстрее и проще чем писать на место помеченное как не нужное, даже в slc случае, про qlc даже можно и не говорить 😆попробуй блок схему нарисовать для случая "занулённого" когда заряд ячейки ноль и для случая помеченного, и посмотри сколько
вознивозня в любом случае - а процу пох чем заниматься, ему главное кеш запихнуть побыстрее - и не важно куда, как и сколько ....
а вот экономия ресурса - ставится всегда на ПЕРВОЕ место !!!нет не похеру, и сброс заряда это не износ, ничего там не изнашивается 😆 запись это износ, никакого ресурса не расходуется
на самом деле многие почему-то проводят аналоги между хардами и ssd и например пластинками и магнитной лентой
правильнее было бы проводить аналогии между пластинкой и пластиной диска, а вот проигрыватель это остальная обвязка,
достаточно сложное устройство, да ещё и запись цифрами, а не аналоговая и количество информации огромное и быстродействия хочется
получаем что контроллер это охеренно сложный и интеллектуальный проигрыватель 😆 😆 как то тактам если покопаться и попробовать аналогии поискать своя операционка, драйвера и прочая херня внутри 😆
Алексей, тВы путаете типы памяти, там не рам ... со статикой заряда - там (в ссд) "зарядовая" память , она меняет своё состояние после определённого электрического воздействия, обычно выше потенциала зарядового слоя, иначе не записать в ячейку - и это состояние и есть перепрограммирование - смена заряда с "0" на "1" или с "1" на "0" -вашпе похуй (привожу для простоты - на самом деле там по другому, другие уровни) - и смысл в том что такое количество переходов ограниченно (такова технология нанад\нор).
отдалённой технологией 80-х было уф стирание для ячеек памяти 40-120нм жестоким уф излучением (чтобы изменить состояние), потом стало возможным воздействовать на дополнительный затвор ячейки памяти зарядом выше потенциала (12-20в), сейчас технология из за уменьшения слоя - можно уже и 2.5-3.3 вольта ... в целом память развивается - и это канеш qlc - что радует цена и обЪём ,- но 😆 вот надёжность и скорость этого говна - пичалько ... одна радость 8 потоков и кеш 64к на шине писиай5.0 oO 😳 ну и не забиваем на кеш из млц в ссд кратный обЪёму накопителя .... что ещё усложняет алгоритм работы контроллера ссд ...
пысы ... к чему я всё это ??? хз ... мне не жалко ... пользуйтесь 😉 😎
даёш нор енанад в массы www.winbond.com/hq/product/code … o=W25N01GV
погуглите сами, или подождите в ближ время будет статья на нашем дзене и сможете пользоваться нам не жалко 😆 😆
могу вам ещё насыпать чудес, например о том что транслятор строится во время записи 😆 😆
и даже ваши любимые файловые системы операционных систем на это ну никак не влияют 😆 😆
и вот вам пока для развития www.ixbt.com/storage/flash-tech.shtml
стирается кстати бАНАЛЬНЫМ стеканием заряда 😆 износа тут нет, износ происходит когда вы "делаете заряд"= запись 😆
и про затраты постройте блок схему занулять, а потом писать выгодней и правильней чем узнавать состояние и потом решать
писать или оставить как есть
и про ультра фиолет ru.wikipedia.org/wiki/%D0%A2%D1 … 0%BE%D0%BC
уж нам то точно ничего не жалко 😆 😆
Отредактировано Stranger (, 1 год 4 месяца назад)
dzen.ru/neuron
Дурак стал нормой, ещё немного - и дурак станет идеалом.
Учитывая глупость большинства людей, широко распространенная точка зрения будет скорее глупа, чем разумна.